Den elektroniske aluminiumhypofosfitten utviklet og produsert av Taixing vedtar innovativt kjerneteknologien for rensing av elektroniske råvarer og modifikasjon av presisjonsgradering. Den bruker høyrent Al (H ₂ PO ₂) I3 som matriks, med en renhet på over 99,8 % og et fosforinnhold på ≥ 42,5 %. Den kombinerer effektiv flammehemming og utmerket elektrisk ytelse. Med bare 6% -10% tillegg, kan den oppnå en 1,6 mm tykkelse UL 94 V-0 flammehemmende middel, noe som fullstendig løser industriproblemene til tradisjonelle flammehemmere "forurenser underlag, forstyrrer elektrisk ytelse, og er ute av stand til å oppfylle elektronisk klasseoverholdelse". Det gir en sikker og kompatibel kjernematerialløsning for avansert elektronisk produksjon.
1. Ultra høy renhet og lite urenheter, egnet for strenge elektroniske karakterkrav
-Den ultimate renseprosessen sikrer renhet: ved å bruke en kombinasjon av "flertrinns rekrystallisering+presisjonsfiltrering+vakuumavgassing"-prosess, er produktrenheten ≥ 99,8 %, langt høyere enn standarden på 99 % av industrikvaliteten, og fjerner effektivt skadelige urenheter som kloridioner (≤ 0,0 %) sulfater (≤ 0,0 %). unngår migrering av urenheter som kan forårsake kortslutning av elektroniske komponenter eller forringelse av ytelsen.
-Ultra lite rester av tungmetaller: Gjennom ICP-MS-deteksjon er det totale innholdet av tungmetaller som bly, kvikksølv, kadmium osv. ≤ 0,5 ppm, langt under RoHS 2.0-grensekravene. Det er ingen rester av ftalater (DEHP/BBP, etc.), og oppfyller fullt ut standardene for "lav forurensning, høy renslighet" for materialer av elektronisk kvalitet.
-Høyt fosforinnhold gir effektiv flammehemming: Med et fosforinnhold på ≥ 42,5 % økes flammehemmende effektivitet med 40 % sammenlignet med vanlig aluminiumhypofosfitt. Etter blanding med synergister som MCA og APP, kan tilsetning av 8 % til PCB-substratet oppnå V-0-nivå flammehemming uten å påvirke de dielektriske egenskapene til substratet.
2. Utmerket elektrisk ytelse sikrer stabil drift av elektroniske enheter
-Lavt dielektrisk tap og høy isolasjon: dielektrisk konstant (1MHz) ≤ 3,8, dielektrisk tapsfaktor ≤ 0,005, volumresistivitet ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. Tillegget endrer ikke de elektriske egenskapene til underlaget vesentlig, og sikrer signaloverføringsstabiliteten til halvlederemballasje og høyfrekvent kommunikasjonsutstyr.
- Enestående anti-ion-migrasjonsegenskaper: Etter å ha blitt plassert i et fuktig og varmt miljø på 85 ℃/85 % RH i 1000 timer, er det ikke noe åpenbart ionemigrasjonsfenomen, og unngår at elektroniske komponenter opplever "elektrisk migrasjonsfeil" og oppfyller de langsiktige servicekravene til nye energibatterier, elektroniske bilenheter.
-God ikke-korrosivitet og kompatibilitet: pH-verdien er stabil på 3,5-4,5, og den har ingen korrosiv effekt på metallkontakter og kretskort. Den har utmerket kompatibilitet med underlag av elektronisk kvalitet som epoksyharpiks, PA, PBT, etc., og forårsaker ikke nedbrytning av underlaget eller ytelsesforringelse.
Felt for halvledere og elektronisk emballasje
- Bruksområder: Emballasjematerialer for halvlederbrikke, lim for elektroniske komponenter, integrerte kretshus
-Som et lavdielektrisk fyllstoff for å erstatte noe silisiummikropulver, er tilsetningsmengden 15-30%. Mens den opprettholder fluiditeten, reduserer den dielektrisitetskonstanten med 0,2-0,3 og forbedrer flammehemmingen til UL94 V-0. Den brukes til CPU, GPU og lagringsbrikke.
Feltet for trykt kretskort (PCB).
- Bruksområder: PCB-substratmaterialer, flammehemmende kobberkledde laminater, kretskorthus
-Kobberbelagt laminat med lavt tap (CCL): kompositt med høyfrekvente harpikser som PTFE, PPO, cyanatester, etc., med et E-AHP100-tillegg på 20-40 %, oppnår Dk 3,2-3,8 og Df<0,005, og oppfyller kravene til 5G-millimeter-basebord med høyhastighets-antennebord og 5G-millimeter bak.
Hvis du er på utkikk etter aluminiumfosfat av elektronisk kvalitet, flammehemmere for elektroniske komponenter, flammehemmere for PCB-substrater og flammehemmere for nye energibatterier, vil Taixing være din beste partner og vi vil tilby lavest prissamarbeid!
Adresse
Lvye Road West, Diao Town Chemical Industry Park, Mingshui Economic & Technology Development Zone, Zhangqiu, Jinan, Kina
Tlf
E-post